RIDHO TARNANDO TKJ SMK N 2 TELUK KUANTAN

Dioda semi konduktor dibentuk dengan cara
menyambung semi konduktor tipe p dan
semi konduktor tipe n. pada saat
terjadinya sambungan (jungtion) p dan
n. hole hole pada bahan p dan elektron
elektron pada saat bahan n disekitar
sambungan cenderung untuk berkombinasi.
hole dan elektron yang berkombinasi sekitar
sambungan ini kosong dari pembawa muatan
dan tarbentuk daerah pengosongan.
oleh karena itu pada setiap muatan sisi n
tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan
negatip dan pada sisi n tinggal ion-ion
donor yang bermuatan positip.
namun proses ini tidak berlangsung
terus, karena potensial dari ion-ion
positip dan negatip ini akan menghalanginya.
tegangan atau potensial ekivalen pada daerah
pengosongan ini disebut dengan tegangan
penghalang (berier potensial) besarnya penghalang
ini adalah 0.2 untuk germium fadan 0.6 untuk
silikon.
suatu dioda bisa diberi bias mundur (reverse bias)
atau diberi bias maju (faword bias) untuk mendapat
karakteristik yang diinginkan.
bias mundur adalah pemberian tegangan negatip
batrai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip ke
terminal katoda (K) dari suatu diada.
dengan kata lain, tegangan anoda katoda adlah negatip
apabila tegangan positip batrai dihubungkan ke terminal
anoda (A) negatipnya ke terminal katoda (K), maka dioda
di sebut mendapatkan bias maju (foward bias).
Kurva Karakteristik Dioda
Hubungan antara besrnya arus yang mengalir melalui
dioda dengan tagangan VA-K dapat dilihat pada kurva
karakteristik dioda.
pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila VA-K
mencapai tegangan cut in (V_) ini kira-kira sebesar
0.2 volt untuk dioda germanium dan 0.6volt untuk
dioda silikon dengan pemberian tegangan batrai sebesar ini,
maka potensial penghalang (barrier potential) pada
sambungan akan teratasi, sehingga arus dioda mulai
mengalir dengan cepat.
disini juga terdapat dua kurva, yaitu untuk dioda
germanium dan silikon. besarnya arus jenuh mundur
(reverse saturation curent) is untuk dioda germanium
adalah dalam orde mikro amper.